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湖南盈能电力科技有限公司，专业仪器仪表及自动化控制设备等。电力电子元器件、高低压电器、电力金具、电线电缆技术研发；防雷装置检测；仪器仪表，研发；消防设备及器材、通讯终端设备；通用仪器仪表、电力电子元器件、高低压电器、电力金具、建筑材料、水暖器材、压力管道及配件、工业自动化设备销；自营和各类商品及技术的进出口。
的产品、的服务、的信誉，承蒙广大客户多年来对我公司的关注、支持和参与，才铸就了湖南盈能电力科技有限公司在电力、石油、化工、铁道、冶金、公用事业等诸多领域取得的辉煌业绩，希望在今后一如既往地得到贵单位的鼎力支持，共同创更加辉煌的明天！
另外，影响LED灯具寿命的主要因素不只是芯片的部分，还有电子部分，故LED灯具对于散热的性能要求就更高了。LED灯具的散热器结构如何目前较大型LED灯具多采用多热管散热结构，对LED灯具进行散热，该散热结构包括受热座及多个散热管，受热座底 有用以与上述LED灯具作贴合的受面，而其顶 有与受热面相背对的散热面，另外，各热管均具有受热端、以及与其受热端相远离的冷凝端，其中，受热座的散热面上设有数量与热管数量相一致的多个穿孔，热管的受热端的管身轴线方向与其所对应的穿孔的轴线方向相同，并与受热座的散热面垂直。
其主要功能是用于检测电容充电完毕后uA级的漏电流指标。检测指标合格后，电容样品将被安全放电并流向后道包装环节，而测试不通过的样品则被筛选出来另作。在电容生产过程中，采用的电容老化测试设备是否 地检测出产品性能至关重要。如果对uA级的漏电流指标测试精度不达标，可能会导致部分不合格产品流入后道成品中，降低电容产品的大批量可靠性。若将指标调节过于苛刻，将导致生产过程中部分合格产品被误判为失效，造成不必要的报废损失，降低经济效益。
MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易。所以关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
它们不仅专门用于家庭居室检查和修复，还可以用于害虫控制、建筑和其他专业领域。FLIRMR59是球形探头水份测量仪，它的独特之处在于其无针球形探头湿度传感器，它可在短时间内进行大面积测量而不留任何痕迹。MR59的球形探头可以轻松测量一些难度较大的区域，比如角落、不平坦的表面和墙裙周围等区域。在表面看不到水份的情况下，MR59可以检测出表面下方的水份，从而帮助专业人员查看水份的源头和游走路径。FLIRMR55是带蓝牙功能的探针式水份测量仪，其设有一个材料数据库，其中包含11类材料，包括木材和混凝土等，允许用户根据被测试材料对测量仪进行设定，从而提高工作中湿度读数的准确性。
VOCs检测技术的日新月益对VOCs的检测、监控、减排有很大的促进作用。本次为您介绍常用的VOCs检测技术。实验室VOCs检测VOCs实验室分析发展较早，也比较成熟。分析方法为使用采样袋、苏码罐、吸附剂或吸收液将VOCs采集回实验室，再经过热解析、溶剂解析等前过程后，利用GC或HPLC分析。实验室VOCs检测主要难点在于选择合适的采样方法保证可以采集到所有挥发性有机污染物，制定规范的运输方案防止运输过程中VOCs的损失，选择合适的前过程保证所有的挥发性有机物进入分析仪器。
LED的芯片其实就是个半导体，有如以下的IV曲线。反向电压如果加的过高，LED会因被击穿而损坏，所以很多时候我们需要去测量反向电压。若只是单纯要测量芯片的特性，基本上使用电源和万用表即可。主要可测试的项目包括正向电压、击穿电压、漏电流…测试LED的整体IV曲线特性几个参数正向电压:Vf击穿电压:Vr漏电流:IL这些项目的测试其实并不算困难，但必须要选对合适的测量仪器。若是选择了不适合的测量仪器，测试的值误差则会非常大。
红外测温仪由于其测温精度高，被广泛应用于耐火材料厂，其中关键的隧道窑里，里面测温点比较多。红外测温仪具有测温点多，连续工作时间长的特点，如温度参数控制不好，将会给生产企业带来重大的经济损失，选择合适的测温手段是保证窑炉正常工作的一个重要环节。隧道窑传统的测温方法有两种：一种是用热电偶测温，这种方法的特点是测温精度高，能连接 或控制系统进行闭环控制，其缺点是寿命短，特别是在1300℃以上的高温窑上其电耦消耗特大，价格也很贵，设备运行成本较高；第二种方法是光学高温计，该方法是根据被测物体发光的颜色来测量温度，因其不直接接触高温区，故使用寿命长，但测量精度较低，无号输出，不能自动记录，还有人为因素的影响，真实性差。