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湖南盈能电力科技有限公司，专业仪器仪表及自动化控制设备等。主要产品有：数字电测仪表，可编程智能仪表，显示型智能电量变送器，多功能电力仪表，网络电力仪表，微机电动机保护装置，凝露控制器、温湿度控制器、智能凝露温湿度控制器、关状态指示仪、关柜智能操控装置、电流互感器过电压保护器、断路器分合闸线圈保护装置、DJR铝合金加热器、EKT柜内空气调节器、GSN/DXN-T/Q高压带电显示、干式（油式）变压器温度控制仪、智能除湿装置等。
本公司全系列产品技术性能指标全部符合或优于 标准。公司本着“以人为本、诚信立业”的经营原则，为客户持续满意的产品及服务。
未使用接地簧探头的长地线与探针在电路板接触处所形成的环太大，很容易将空间中的大量电磁干扰引入测量电路。探头频率补偿未校正探头本身在为补偿良好状态，幅值测量本身不准。需要注意的是：一定不能单纯以哪个品牌或者型号的测量结果作为标榜去标定，认为一定是某品牌是对的、某型号是对的、某示波器很贵所以是对的，这些测量心态都是不可取的。测试结果在一定范围内出入是十分正常的，毕竟示波器只有8位的ADC，垂直分辨率较差，另外不同示波器的幅频响应曲线也略有不同。
IT64系列双极性电源针对行业测试的需求，IT64系列电源因其独特的电流双极性设计，以及-1Ω可变的输出阻抗，不仅适用于对各类便携式电池进行充、放电测试，还可以模拟电池的充放电特性，协助进行其他各项测试。一台仪器实现多种用途，极大地精简了测试设备，并优化了测试流程。以下重点介绍下我司IT64的Simulator功能在实际使用环境中的应用。IT64双极性电源系列Simulator功能界面图Soc表示电池容量百分比，Voc表示电池路电压，Q表示电池容量，Vt表示电池端电压，Res表示电池内阻，I表示电池充/放电电流。
漏电检测原理对电力系统回路进行漏电检测的方法有很多，如绝缘监测装置，低频探测法，变频探测法，霍尔磁式平衡等。本设计采用了霍尔磁式平衡原理，为克服传感器的剩磁所带来的对系统检测到的漏电大小的影响，采取了将零点设计为可以通过按键调整的系统。霍尔磁式平衡检测的基本原理如所示。观察直流系统任一支路,从电源正端流出的电流IL+,流经支路全部负载后,返回电源负端的支路电流为IL-,当该支路没有接地电流时,IL+=IL-,穿过传感器的电流大小相等,传感器无输出。
结构与等效电路本文提出的新型CMRC平面结构如所示，其LC等效电路模型如所示。介质基板采用TaconicCER_1，其介电常数er=9.5,厚度.64mm。图CMRC的平面结构图LC等效电路模型滤波器特性分析主要结构参数对传输特性的影响我们对所示CMRC结构应用HFSS进行建模以及，并分析了主要结构参数对滤波器传输特性的影响。在中我们发现xy1以及y2对滤波器传输特性的影响较大，其影响特性曲线如至所示，由和可知减小x1和y1可以降低谐振频率，从而相应的可以减小低通频率范围，这是因为在等效电路模型中，减小x1或y1都可以提高单位长度的分布串联电感(L和L1)。
后期数据分析在完成封闭场地测试后，测试工程师们会对测试数据进行后期分析，并绘制非常直观的数据分析图。可以从分析后的数据中看出自动驾驶车辆与目标是否发生碰撞，自动驾驶车辆在以一定的加速度减速至速度为0时与目标之间是否还有一定的安全距离，其是否满足《重庆市自动驾驶道路测试准入测试规范》中对于自动紧急制动的要求。展望相信在如此严格且规范的自动驾驶测试下，重庆的自动驾驶上路是安全的，请对祖国的自动驾驶技术充满希望与期待，就在不远的未来，自动驾驶技术定能为人们的生活带来巨大改变。
GPT-98/99安规测试器简易操作说明：用来示范的设备GPT-994，是1台~5VA/四合一~(的)安规测试器可ACW(交流耐压)、DCW(直流耐压)、IR(绝缘电阻)、GB(接地阻抗)测试测试器的(设定)操作，使用位于位置的"箭头键"、"飞梭"、"设置键"，以及显示屏下方对应的"功能键"箭头键和快捷键:(用于)光标的位置飞梭:(用于)改变光标位置的数值或条件设置键:(则是用于)模式切换(MANU/AUTO)、编辑/储存(EDIT/SE)、(以及)公用选单测试条件的设定，可分为MANU和AUTO两种模式MANU用来设置"个别测试条件"的，共计1组AUTO可将已设置的MANU条件，串接成可依序执行的群组~每个群组中， 多可串接16个MANU条件，同样也是1组测试线的连接:红/白线组(Banana-鳄鱼夹):用于ACW/DCW/IR测试红线~连接高压输出端子座白线~连接Return端子(小黑)红/黑线组(压线端子-鳄鱼夹):用于GB测试红线组~依线径粗细分别锁付在大红/小红端子黑线组~依线径粗细分别锁付在大黑/小黑端子经过以上介绍，相信您对GPT-98/99的操作、设置和测试线连接，已有初步的认识与了解；接着，请再跟着影片的介绍，学习各项测试条件的设置~~谢谢。
由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极，如下图所示，温度对二极管的性能有较大的影响，这是由于半导体材料的特性所致，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1oC，正向压降减小约2mV，可以从下图看出，由半导体理论可以得出，PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为：其中，Is为反向饱和电流，对于硅材料来说，Is约为10pA;q为电子的电量，q=1.6*10-9C；k是玻耳茨曼常数，k=1.38*10-23J/K；T为温度，kT/q可以用UT来代替，则常温下，即T=300K时，UT约为26mV。
