检测设备外校阳江-校验公司

检测设备外校阳江-校验公司检测设备外校阳江-校验公司
世通仪器关于高温微压力传感器校准实的研究

在航天领域，常常需要在恶劣环境下实时测量环境的各种相关参量，其中就包括微小压力测量。由于测试工作处于高温、高热流、强电磁干扰、剧烈振动等恶劣的条件下，并且待测压力微小，此外还要求小型化、低功耗，故而传统的硅微压力传感器已难以满足测试需求。

如果主要目的是滤除高频噪声，则应将电容器增加至所需滤波的值。，100kHz的滤波频率需要一个80nF电容。该电容器可以有一个低额定电压值，但应具有良好的高频特性。所需的电容器值可通过下面的公式计算：瞬态在瞬态共模电压大于30伏特（V）的应用中，需要瞬态电路。有关如何设计瞬态电路的详细信息，请参阅NCS21xR数据表中的基本连接应用注释。滤波并不总是必需的，具有的动态变化电流的电池供电的直流电路将是一个例子。
相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等，因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*，且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段，使其能够适应高温环境，即能*终满足测试的要求。

高温微压力传感器基于F-P干涉敏感原理，使用耐高温材料外壳和支撑架，部件连接采用固体焊接等耐高温工艺，实现了在无引压管情况下对800℃高温介质微小压力的直接测量，并且通过对性敏感组件等易损件采取专门的限位、加固措施，提高了抗冲击、振动能力。
检测设备外校阳江-校验公司

电流的准确测量对测试结果至关重要，但想要准确测量电流就需要选用合适的电流探头与正确的测试方法。本文跟您说说电流测量那些事儿，并带您了解ZLG致远电子的测试方案。在日常的计量测试工作中，电流是一个相当重要的测量值。和使用采样电阻产生压降的方式测量电流相比，电流探头只需把导线完全绕在探头磁芯上就可以实现电流测试。这种方式不需要断电源来连接，可以在不破坏导线的情况下测量流经导线的电流，使用十分便捷。此外，电流探头与电压探头配合使用能够测试功率、相位等数据，这对于电气设计来说是非常有意义的。
为了在地面实验室模拟传感器的实际测量环境，我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统，通过高低温真空试验装置和人机软件的结合，为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。

1、传感器测量原理

(1) 微压力测量原理

高温微压力传感器采用的是F-P干涉敏感原理，根据Fabry-Perot共振效应，F-P共振腔反射光的波长变化与两反射面之间的距离呈函数关系。如图1所示，为传感器原理示意图，感压反射面及其支撑膜片和静止反射面就构成了一个完整的F-P共振式压力敏感结构。根据薄膜性形变原理，压力敏感膜片在外界压力的作用下发生形变，从而改变F-P腔腔长，引起干涉谱变化，通过测量干涉光谱，即可得到作用在压力敏感膜上的压力变化，从而达到测量压力的目的。该结构的特点是灵敏度极高，可感受两个镜面之间纳米级的位移变化，可满足500 Pa微小压力的测量需要。

检测设备外校阳江-校验公司

从这个角度上看，频谱分析仪更适合测量晶体频率。2仪器测量频率的精度从下面两个方面来分析仪器的哪些参数影响到测量精度-内部时钟精度-测量值分辨率初步定性分析，频率计作为专业测试设备，内部时钟精度不差，从定期的仪器校验结果看，精度高于1ppm，特别是它的分辨率12bit是非常高的；频谱分析仪的时钟精度看上去也可以，而且1Hz的分辨率满足测试要求，但实际扫描到功率峰值的频率是否稳定还需要验证；而示波器的时钟精度看上去与前两者相差并不大，但需要考虑到：量化误差（前端信号采集系统的8位ADC引起的信号幅度测量误差）引起的垂直电平测量不准确性，以及采样率不足等因素都会引起水平轴的测量误差， 终导致频率值测量误差，而且其分辨率情况需要实测验证。

(2) 传感器的仪器校准原理

在传感器探头确定的情况下，参数k1,k的值可以通过公式直接计算求得，而温度敏感系数k2以及补偿修正常数C则需要通过校准实验才能确定。

将被校传感器与压力、温度标准具置于同一载荷环境，通过标准具得到压力、温度的标准量，通过解调模块得到传感器的输出值。将标准输人量与被校传感器的输出值绘制成传感器的校准曲线，再根据校准数据采用*小二乘法确定传感器的工作直线，用工作直线反映传感器的输人和输出之间的关系，从而确定k2及C的取值。通过校准曲线与工作直线的比较，可以计算得到被校传感器的静态基本性能指标。

检测设备外校阳江-校验公司与其他灵敏的SMU相比，4201-SMU和4211-SMU的电容指标已经提高，这些SMU模块用于可配置的Model4200A-SCS参数分析仪，使用Clarius+软件进行交互控制。本文探讨了4201-SMU和4211-SMU可以进行稳定的弱电流测量的多种应用实例，包括测试：平板显示器上的OLED像素器件、长电缆MOSFET传递特点、通过关矩阵连接的FET、卡盘上的纳米FETI-V测量、电容器泄漏测量。