◆ 规格说明:
产品规格 |
8*8 |
产品数量 |
|
包装说明 |
卖家 |
价格说明 |
电议 |
◆ 产品说明:
2024欢迎访问##贵港HC265U-5X1数显电测仪表厂家
湖南盈能电力科技有限公司,专业
仪器仪表及自动化控制设备等。电力
电子元器件、高
低压电器、电力金具、电线电缆技术研发;防雷装置检测;仪器仪表,研发;消防设备及器材、通讯终端设备;通用仪器仪表、电力电子元器件、高低压电器、电力金具、建筑材料、水暖器材、压力管道及配件、工业自动化设备销;自营和各类商品及技术的进出口。
的产品、的服务、的信誉,承蒙广大客户多年来对我公司的关注、支持和参与,才铸就了湖南盈能电力科技有限公司在电力、石油、化工、铁道、冶金、公用事业等诸多领域取得的辉煌业绩,希望在今后一如既往地得到贵单位的鼎力支持,共同创更加辉煌的明天!
目前,包括床暗器的研究、设计、试制、生产检测与应用等诸项内容在内的
传感器技术,已逐渐形成了一门相对独立的专门学科。作为一次仪表的传感器通常由
敏感元件与转换元件组成。转换元件就是精密的
电桥。测力秤重用电阻应变式传感器主要由性体、应变片、粘帖胶及各种补偿电阻构成。他的稳定性也必然是由这些元件的内、外因的综合作用所决定。本文就此问题进行探讨,谈些粗浅看法,与同行商榷。首先是性元件。性元件一般是由
合金钢材及有色金属铝、铍青铜等成型,影响性体稳定性,主要是它经各种后的金相组织及残余应力。
使用传感器的测试小技巧来完成测试可以把原边导线多绕几圈,通过增加一次侧的匝数,来改变输入输出的变比,比如,
霍尔传感器IT1000-S变比为1:1000,原边导线多绕5圈,此时,输入输出的实际变比为1:200,并在功率计上更改变 ,相比原来的10A,上升了一个台阶,按照此道理,可以再多绕几圈,可以测量的电流值将进一步缩小。上面讲解的两种方法都是可取的,有条件的话当然选用
PATV-33,所能测量的电流更小。
电机测试系统的缘起总所周知,电机是一种电气和机械的融合结晶,要评价一款电机的性能,往往需要综合很多试验项目的结果去评估。一般一款电机从研发到生产之间,需要经历型式试验(研发、中试、质检)和生产试验(出厂)两个阶段,且根据电机种类、应用行业的不同,合共会包含十余种甚至几十种试验项目(如下图)。既然电机的试验项目这么多,那么对应的也需要很多的测试仪器或设备去完成各个项目的测试。像电压、电流、功率的采集需要用到电参数测试仪;转速、扭矩的采集需要用对应的传感器;测试过程中为了让电机运行在不同的工况下,还必须添加机械负载;测试完成后,还需要人工去数据,绘制曲线……这一切对于测试人员来说可谓相当复杂和麻烦,有没有一劳永逸的测试解决方案呢?测功机的诞生既然行业有需求,市场就会有对应的产品诞生。
模块
电源广泛用于设备、
接入设备、通讯、微波通讯以及光传输、
路由器等通信领域和汽车电子、航天以及生活的各方各面。为了保证模块电源的安全可靠性能,
电源模块离不完整的测试。AC-DDC-DC电源模块的完整测试往往包括机时间、关机时间、上升时间、下降时间的测试。测试系统,如艾德克斯ITS95电源测试系统可以完整的进行测试。如果不使用测试系统,如何使用
直流电源+直流电子负载的方式简单测试DC-DC电源模块的、关机时间和上升、下降时间呢?艾德克斯IT8515/IT853系列电子负载,创新的时间量测功能,可以方便快捷地实现电源机时间与上升时间的测试,在电源行业有非常广泛的应用。
关电源的寿命很大程度受到电解电容的制约,而电解电容的寿命取决于其内核温升。本文从纹波电流计算、纹波电流实测、电解电容选型、温度测试方法、寿命估算等方面,对电解电容作了的分析。纹波电流产生的热量引起电容的内部温升,加速电解液的蒸发,当容值下降2%或损耗角增大为初始值的2~3倍时,预示着电解电容寿命的终结。通过检查
电容器上的纹波电流,可预测电容器的寿命。本文以连续工作模式的反激变换器输出电容分析为例,重点从纹波电流角度分析电解电容的选型与寿命。
去耦电容还可以为器件局部化的DC电压源,它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。旁路:从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分,另外还可以基带滤波功能(带宽受限)。我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
探头端接测试点长时间监测异常ZDS4的时序分析软件具备长时间统计功能,下班后设置好
示波器,对数据采集仪的S
PI总线时序连续监测一个晚上,第二天上班的时候,导出监测分析结果,如所示,一个晚上总共进行了72185次测量,其中有1347次是测量失败的,导致异常的原因是SPI的数据建立时间不满足后级芯片的时序要求。示波器自动保存了这1347份失败的测试报告,打第1345份测试报告,如所示,显示了当前建立时间为3.75ns(包含时序违规处截图),不满足后级芯片4ns建立时间的要求,而且历史出现 差的时序是3.5ns,时序是8.5ns,问题得以。