计量器具校正周口-检验报告

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世通仪器关于高温微压力传感器校准实的研究

在航天领域，常常需要在恶劣环境下实时测量环境的各种相关参量，其中就包括微小压力测量。由于测试工作处于高温、高热流、强电磁干扰、剧烈振动等恶劣的条件下，并且待测压力微小，此外还要求小型化、低功耗，故而传统的硅微压力传感器已难以满足测试需求。

慢慢调高电源电压，听到功率继电器吸合声时，记下该吸合电压和吸合电流。为求准确，可以试多几次而求平均值。测量释放电压和释放电流也是像上述那样连接测试，当功率继电器发生吸合后，再逐渐降低供电电压，当听到功率继电器再次发生释放声音时，记下此时的电压和电流，亦可尝试多几次而取得平均的释放电压和释放电流。选用一般情况下五个步骤，功率继电器的释放电压约在吸合电压的10～50%，如果释放电压太小(小于1/10的吸合电压)，则不能正常使用了，这样会对电路的稳定性造成威胁，选用工作不可靠。
相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等，因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*，且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段，使其能够适应高温环境，即能*终满足测试的要求。

高温微压力传感器基于F-P干涉敏感原理，使用耐高温材料外壳和支撑架，部件连接采用固体焊接等耐高温工艺，实现了在无引压管情况下对800℃高温介质微小压力的直接测量，并且通过对性敏感组件等易损件采取专门的限位、加固措施，提高了抗冲击、振动能力。
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爱斯佩克成立于1947年，近7年来一直致力于环境可靠性试验仪器的研发、和销，并在世界范围内铸就了品质卓越、技术精良的品牌形象。通过环境试验技术和相关服务，来提高产品可靠性，进而推动产品社会的发展。爱斯佩克不仅包含环境试验仪器产品，还 的机械振动、材料试验、数据采集及失效分析等配套产品，为客户建立世界水平的可靠性评估体系方案。ESPEC高低温（湿热）试验箱（广东工厂系列）产品特点试验箱设计出自日本爱斯佩克团队生产体系完全沿用日本爱斯佩克标准控制器及主要零部件全部来自日本爱斯佩克工厂质量与可靠性完全可与日本爱斯佩克原厂生产的产品相媲美新型冷冻机的使用，实现了大范围、高精度的温湿度控制。
为了在地面实验室模拟传感器的实际测量环境，我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统，通过高低温真空试验装置和人机软件的结合，为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。

1、传感器测量原理

(1) 微压力测量原理

高温微压力传感器采用的是F-P干涉敏感原理，根据Fabry-Perot共振效应，F-P共振腔反射光的波长变化与两反射面之间的距离呈函数关系。如图1所示，为传感器原理示意图，感压反射面及其支撑膜片和静止反射面就构成了一个完整的F-P共振式压力敏感结构。根据薄膜性形变原理，压力敏感膜片在外界压力的作用下发生形变，从而改变F-P腔腔长，引起干涉谱变化，通过测量干涉光谱，即可得到作用在压力敏感膜上的压力变化，从而达到测量压力的目的。该结构的特点是灵敏度极高，可感受两个镜面之间纳米级的位移变化，可满足500 Pa微小压力的测量需要。

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工作原理：基于电磁波运动学、动力学原理和现在电子技术。HC-HD85楼板测厚仪主要由信号发射、接收、信号和信号显示等单元组成，当探头接收到发射探头电磁信号后，信号单元根据电磁波的运动学特性进行分析，自动计算出发射到接收探头的距离，该距离即为测试板的厚度，并完成厚度值得显示，存储和传输。测试方法：发射探头与接收探头分别置于被测楼板的上下两侧，仪器上显示的值即为两探头之间的距离，只需接收探头，当仪器显示为值时，即为楼板的厚度。

(2) 传感器的仪器校准原理

在传感器探头确定的情况下，参数k1,k的值可以通过公式直接计算求得，而温度敏感系数k2以及补偿修正常数C则需要通过校准实验才能确定。

将被校传感器与压力、温度标准具置于同一载荷环境，通过标准具得到压力、温度的标准量，通过解调模块得到传感器的输出值。将标准输人量与被校传感器的输出值绘制成传感器的校准曲线，再根据校准数据采用*小二乘法确定传感器的工作直线，用工作直线反映传感器的输人和输出之间的关系，从而确定k2及C的取值。通过校准曲线与工作直线的比较，可以计算得到被校传感器的静态基本性能指标。

计量器具校正周口-检验报告情况混乱之时，需要立刻调整风量或蒸汽量，以维持适当燃烧。此外，自动化辅助气体注入控制有助于避免蒸汽消耗过度，节约大量成本。在热成像图上可以清晰地看到肉眼不可见的火炬FLIRA31红外热像仪具有优化自动化控制的多项功能。起初，热像仪能感应到火焰的温度和大小——控制方案中的关键因素。校准数据可使用无线接入点、光纤电缆或CAT-6以太网电缆通过FLIRA31以太网端口传输至运行辅助气体控制程序的可编程逻辑控制器（PLC）或电脑中。