光波网
  • 供应
  • 求购
  • 公司
  • 资讯
您当前位置: 光波网 > 资讯 > 行业资讯> Crossbar公司声称突破高密度存储芯片障碍

Crossbar公司声称突破高密度存储芯片障碍

发布:2014/12/16 14:13:40

作者:

来源:光波网

创造3D内存芯片并不太难,但包装记忆单元,并让它们含有大量的高密度存储能力就是一个一直困扰着芯片制造商的问题了。现在,内存芯片创业公司Crossbar说,其已经找到了一种办法来创建3D结构密集的电路。其结果可能是,其创建的内存芯片可以以非常小的空间存储大量的数据。
  这家总部在加州圣克拉拉的Crossbar公司披露,其在2014年迎来了所谓的创新突破,其在国际电子设备会议上也表示,它将使高密度存储和更快的响应以及更低的功耗快速来到消费者的身边。因此,它可能在数据中心到智能手机的流程中是有用的。Crossbar公司已经开发了定制电阻RAM(随机存取存储器)芯片,旨在打破闪存芯片市场600亿美元的价值,其还可以让一张邮票大小的芯片适应TB级的数据存储,并且比当今 的闪存芯片响应快20倍左右。

本网转载并注明其他来源的稿件,是本着为读者传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。其他媒体、网站或个人从本网转载使用时,必须保留本网注明的稿件来源,禁止擅自篡改稿件来源,并自负版权等法律责任。违反者本网也将依法追究责任。

本站内容系用户自行发布,其真实性、合法性由发布人负责,gbs.cn亦不承担任何法律责任.

浙ICP备15009750号-1 Copyright 2009-2019   客服:400-601-0860   电子商务   All Rights Reserved   兄弟网站:大豆网   |   中国建材网