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英特尔下一代处理器的电池寿命有多严重

发布:2013/5/27 13:57:53

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来源:光波网

上周四,全球最大的芯片制造商拖出两个芯片的专家向记者的方式,英特尔的第四代核心处理器,又名,Haswell的,降低功耗,提高电池寿命。


    英特尔声称50%的电池寿命提高设备使用哈斯韦尔,相比当前的Ivy Bridge硅。
该芯片将在6月3日正式推出,并预计未来的Windows,Apple和Chrome OS的电脑电源
    下面的信息提供了拉尼Ñ博卡,总经理,英特尔架构开发集团,和人Kaizad的密斯崔,技术和制造集团董事,英特尔逻辑技术集成。
    Haswell的改进:
    片上稳压器:完全集成的稳压器。这是一个行业第一,英特尔表示。它结合了多个稳压器为一体。这降低了主板的足迹,小巧时尚的设备。
    电源优化器:管理平台的功耗(整个设备)。该芯片(内哈斯韦尔)单独尽可能多的计算能力,英特尔486处理器。
    主动降低功耗:积极利用低功率电路。
    空闲(备用)降低功耗:比上一代产品降低了20倍。架构的新的,超低功耗的处理器状态。
    电源平面:增加了新的电源层,可以关闭大部分的CPU晶体管在待机模式。
    晶体管泄漏:过度漏电,浪费电力,是一个大问题,随着晶体管得到较小。论哈斯韦尔的三栅极晶体管(3D),英特尔是两到三个的一个因素,在不影响性能的情况下,能够降低晶体管的泄漏。
    较低的最低工作电压:降低的最小功能操作电压。这减少了有功功率。

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