采用稀有材料研究内存硬件

新西兰维多利亚大学的研究人员预备研究一种名为稀土氮化物(RENs)的材料来创建一个新类型的非易失性的RAM内存硬件。本博士教授和弗兰克博士娜塔莉正在研究潜在的生长在超高真空磁和半导体的薄膜的商业应用。专利包括两个概念，其中一个就是一个基于RENs磁的存储器存储设备,称为“磁隧道结”。
　　教授说：“我们从事的研究是构建一种不会消磁的RAM硬件。因为数据在电源关闭够会保留,所以设备可以运行得更快,在拥有更多功能的同时消耗更少的能源。这是理想状态下的设想，举个例子来说,云数据存储可以跨越多个服务器。”这个新磁材料可能对于内存设备的发展是有利的。教授还说：“准确的说，我们的研究结果发现了一种新方法来控制传导。”这将是自旋电子学器件的开发和建设的重大突破。