仪器外校钦州-认证公司

仪器外校钦州-认证公司仪器外校钦州-认证公司
世通仪器关于高温微压力传感器校准实的研究

在航天领域，常常需要在恶劣环境下实时测量环境的各种相关参量，其中就包括微小压力测量。由于测试工作处于高温、高热流、强电磁干扰、剧烈振动等恶劣的条件下，并且待测压力微小，此外还要求小型化、低功耗，故而传统的硅微压力传感器已难以满足测试需求。

特别是在中低端的模块电源市场来看，这个行业基本表现的是完全的竞争现状。在 的电源市场，受对应的技术、工艺等方面的制约，市场集中度很高，市场的份额也就被的品牌公司所占据。作为企业，要想中低端市场保持有力竞争，或进 市场与品牌刮分市场份额，是每一个业界人士都关注的课题。以下将从多个侧面浅析DC-DC模块电源的发展趋势，并对热点题目进行探究。产品思路的变革如今国内市场的竞争，不再完全是产品品质性能的竞争，已始向产品价格竞争优势的转变，则电路设计、物料选型、生产工艺等多方面的不断创新突破就要放在首要位置，寻求更简洁、更新颖、成本更低的方案，如果还是墨守成规，紧随竞争对手其后，那只会利润越来越低， 终被淘汰出局。
相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等，因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*，且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段，使其能够适应高温环境，即能*终满足测试的要求。

高温微压力传感器基于F-P干涉敏感原理，使用耐高温材料外壳和支撑架，部件连接采用固体焊接等耐高温工艺，实现了在无引压管情况下对800℃高温介质微小压力的直接测量，并且通过对性敏感组件等易损件采取专门的限位、加固措施，提高了抗冲击、振动能力。
仪器外校钦州-认证公司

宽带差分运算放大器的主要劣势在于其增益通常都很有限，且其增益级别也许在内部已经预设。根据应用的不同，可能需要为设计添加前置放大器，从而满足必须的增益要求。至于前置放大器应该采用宽带运算放大器，以满足ADC的预期输入频率。对于采样速率高达1GSPS的系统而言，这等于要求过采样系统具有高达500MHz的输入带宽。二级放大器电路图对于与大增益（如=10）一起工作并能保持这样大的带宽的运算放大器而言，其等同于5GHz增益带宽积（GBW）。
为了在地面实验室模拟传感器的实际测量环境，我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统，通过高低温真空试验装置和人机软件的结合，为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。

1、传感器测量原理

(1) 微压力测量原理

高温微压力传感器采用的是F-P干涉敏感原理，根据Fabry-Perot共振效应，F-P共振腔反射光的波长变化与两反射面之间的距离呈函数关系。如图1所示，为传感器原理示意图，感压反射面及其支撑膜片和静止反射面就构成了一个完整的F-P共振式压力敏感结构。根据薄膜性形变原理，压力敏感膜片在外界压力的作用下发生形变，从而改变F-P腔腔长，引起干涉谱变化，通过测量干涉光谱，即可得到作用在压力敏感膜上的压力变化，从而达到测量压力的目的。该结构的特点是灵敏度极高，可感受两个镜面之间纳米级的位移变化，可满足500 Pa微小压力的测量需要。

仪器外校钦州-认证公司

四线测量四线电阻测量非常适合用于测量低阻值的电阻，因为DMM能够消除引线的影响，而无需诉诸相对功能。校正是完全自动的。在四线测量中，V+和V-端子仍通过测试导线将电流给电阻器。V+和V-两端的电压降由引线电阻和被测电阻的总和决定。感测线连接到电阻器的端子，并测量电阻器两端的电压，它不包括测试引线（或用于将DMM连接到UUT的关系统）两端的电压，并且电压表的输入阻抗足够高，不会导通任何电流或不会从Rlead产生误差电压。

(2) 传感器的仪器校准原理

在传感器探头确定的情况下，参数k1,k的值可以通过公式直接计算求得，而温度敏感系数k2以及补偿修正常数C则需要通过校准实验才能确定。

将被校传感器与压力、温度标准具置于同一载荷环境，通过标准具得到压力、温度的标准量，通过解调模块得到传感器的输出值。将标准输人量与被校传感器的输出值绘制成传感器的校准曲线，再根据校准数据采用*小二乘法确定传感器的工作直线，用工作直线反映传感器的输人和输出之间的关系，从而确定k2及C的取值。通过校准曲线与工作直线的比较，可以计算得到被校传感器的静态基本性能指标。

仪器外校钦州-认证公司探头端接测试点长时间监测异常ZDS4的时序分析软件具备长时间统计功能，下班后设置好示波器，对数据采集仪的SPI总线时序连续监测一个晚上，第二天上班的时候，导出监测分析结果，如所示，一个晚上总共进行了72185次测量，其中有1347次是测量失败的，导致异常的原因是SPI的数据建立时间不满足后级芯片的时序要求。示波器自动保存了这1347份失败的测试报告，打第1345份测试报告，如所示，显示了当前建立时间为3.75ns（包含时序违规处截图），不满足后级芯片4ns建立时间的要求，而且历史出现 差的时序是3.5ns，时序是8.5ns，问题得以。