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屏蔽地:也叫机壳地,为防止静电感应和磁场感应而设。以上这些地线是系统设计、、调试中的一个重要问题。下面就接地问题提出一些看法:控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路应就近多点接地,低频电路应一点接地。在低频电路中,布线和元件间的电感并不是什么大问题,然而接地形成的环路的干扰影响很大,常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频,因为高频时,地线上具有电感因而增加了地线阻抗,同时各地线之间又产生电感耦合。
磁耦器件 c的电压隔离保护,多种型号的磁耦带有±15KV的ESD保护。长寿命。采用芯片级
变压器技术传输信号,消除
光耦传输时的器件损耗。器件内部基本不存在损耗,正常工作条件下至少达到50年工作寿命。低功耗。磁耦基于芯片级变压器传输原理,信号传输时几乎不存在能量损耗,因此能以极低的功耗实现高度的数据隔离。相同速率下,其功耗仅为光耦的1/10~1/6。
电源隔离信号通道隔离后,建议电源通道也隔离,可直接采用带隔离的DC-DC隔离模块实现,如下图所示。
关于MOSFET很多人都不甚理解,这次小编再带大家仔细梳理一下,也许对于您的知识系统更加。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些。在使用MOS管设计关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,电压等,电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是的,作为正式的产品设计也是不允许的。
正是由于这种结构的引压方式,正压侧和负压侧同时保证了容器内的温度和汽包基本相近,容器内的饱和水的密度也就十分的接近汽包内的饱和水,使汽包水位测量大大减小了误差,符合生产工艺的操作要求。位的差压量程计算实际汽包液位的计算主要是针对平衡容器内正负压差压的计算。首先,要确定汽包的正压侧是在连通器的水平引压的位置,连通器水平引出端接
差压变送器的正压室。其次,确定汽包的负压侧是在基准杯下端引出的引压管接差压变送器的负压侧。
而在上述这些环节中,智能变电站无疑是 核心的一环。智能变电站是由智能化一次设备和网络化二次设备分层构建,是实现变电站内智能电气设备间信息共享和互操作的现代化变电站。智能化一次设备主要包括智能变压器、智能高压关设备、电子式互感器等。:智能变压器与控制系统依靠通信光纤相连,可及时掌握变压器状态参数和运行数据。在实现一次设备实现通讯的基础上,网络化二次设备分层构建还需要一个具有广泛适用性、功能强大的通讯协议,使各种设备能通过协议实现互操作,才能让变电站的智能化变为可能。
LED研发一LED光源半导体芯片发热利用热像仪,工程师可以根据得到的光源半导体芯片发热红外热图,分析出其芯片在工作时的温度,以及温度的分布情况,在此基础,达到提高LED产品寿命的目的。二
LED模块驱动电路在LED产品研发中,需要工程师进行一部分驱动电路设计,
整流器电路模块。利用红外热像仪,工程师可以迅速而便捷地发现电路上温度异常之处,便于完善电路设计。三光衰试验LED产品的光衰就是光在传输中的信号减弱,而现阶段 的LED大厂们出的LED产品光衰程度都不相同,大功率LED同样存在光衰,这和温度有着直接的关系,主要是由晶片、荧光粉和封装技术决定的。