测试仪表校准淮安-审厂

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世通仪器关于高温微压力传感器校准实的研究
在航天领域,常常需要在恶劣环境下实时测量环境的各种相关参量,其中就包括微小压力测量。由于测试工作处于高温、高热流、强电磁干扰、剧烈振动等恶劣的条件下,并且待测压力微小,此外还要求小型化、低功耗,故而传统的硅微压力传感器已难以满足测试需求。

比如,高输入阻抗比低输入阻抗易受干扰,模拟电路比数字电路易受干扰,无隔离设计的设备比有隔离设计的设备易受干扰。如果我们使用功率分析仪测试的时候遇到了干扰要这么?常见的抗干扰技术有以下几种,在使用功率分析仪测试遇到干扰时,也主要按照一下思路来解决异常。屏蔽干扰比较大时,可以考虑使用同轴电缆类的屏蔽性能较好的测试线。滤波选择合适的滤波装置,或者在设备上设置合适的滤波条件。接地接地技术相对比较复杂,但是无论在强电系统还是弱电系统中,接地都是一种比较好的屏蔽干扰的技术。
相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等,因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*,且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段,使其能够适应高温环境,即能*终满足测试的要求。
高温微压力传感器基于F-P干涉敏感原理,使用耐高温材料外壳和支撑架,部件连接采用固体焊接等耐高温工艺,实现了在无引压管情况下对800℃高温介质微小压力的直接测量,并且通过对性敏感组件等易损件采取专门的限位、加固措施,提高了抗冲击、振动能力。
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MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易。所以关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。
为了在地面实验室模拟传感器的实际测量环境,我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统,通过高低温真空试验装置和人机软件的结合,为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。
1、传感器测量原理
(1) 微压力测量原理
高温微压力传感器采用的是F-P干涉敏感原理,根据Fabry-Perot共振效应,F-P共振腔反射光的波长变化与两反射面之间的距离呈函数关系。如图1所示,为传感器原理示意图,感压反射面及其支撑膜片和静止反射面就构成了一个完整的F-P共振式压力敏感结构。根据薄膜性形变原理,压力敏感膜片在外界压力的作用下发生形变,从而改变F-P腔腔长,引起干涉谱变化,通过测量干涉光谱,即可得到作用在压力敏感膜上的压力变化,从而达到测量压力的目的。该结构的特点是灵敏度极高,可感受两个镜面之间纳米级的位移变化,可满足500 Pa微小压力的测量需要。
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环境方面外部环境方面所引起的故障大多是因为仪表受外界电磁波、电机磁场、杂散电流等干扰引发的。外界电磁波干扰主要是由信号电缆引入,通常采用单层或者多层屏蔽进行保护。电流干扰通常采取比较良好的单独接地保护即可获得满意测量。流体方面流体内的微小气泡一般情况下影响不了正常的电磁流量计测量,只是测得的流体体积流量为流体和气体之和。流体内的微小气泡增大会使流量计的输出信号产生变化,如果流体内的微小气泡增大到覆盖整个电极表面,将使电极信号回路瞬间断,使所测得的输出信号产生比较大的变化。
(2) 传感器的仪器校准原理
在传感器探头确定的情况下,参数k1,k的值可以通过公式直接计算求得,而温度敏感系数k2以及补偿修正常数C则需要通过校准实验才能确定。
将被校传感器与压力、温度标准具置于同一载荷环境,通过标准具得到压力、温度的标准量,通过解调模块得到传感器的输出值。将标准输人量与被校传感器的输出值绘制成传感器的校准曲线,再根据校准数据采用*小二乘法确定传感器的工作直线,用工作直线反映传感器的输人和输出之间的关系,从而确定k2及C的取值。通过校准曲线与工作直线的比较,可以计算得到被校传感器的静态基本性能指标。

测试仪表校准淮安-审厂 工业现场经常需要同时隔离RS-232与RS-485,通常是用两个隔离DC-DC搭配单独的信号隔离电路的方案,但隔离的性能存在差异性,并且占板面积较大。本文将为你介绍一种稳定可靠、应用简便的全隔离解决方案。通讯管理机的接口电路简述通讯管理机在电力系统中可以采集多个子系统的数据,通过集中和回执,完成电力系统中的数据交互。对外通常需要集成多路RS-23RS-48CAN、以太网接口等。通讯管理机应用拓扑通讯管理机对于嵌入式主控CPU的接口资源要求较高,常常需要通过各种方式来扩展通讯接口;同时电力通讯设备工作环境较为复杂,对于隔离抗干扰性能有刚性需求。

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