工程类实验室衢州-CNAS检测机构

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世通仪器关于高温微压力传感器校准实的研究

在航天领域，常常需要在恶劣环境下实时测量环境的各种相关参量，其中就包括微小压力测量。由于测试工作处于高温、高热流、强电磁干扰、剧烈振动等恶劣的条件下，并且待测压力微小，此外还要求小型化、低功耗，故而传统的硅微压力传感器已难以满足测试需求。

红外热像仪是一种非接触的，将物体发出的不可见红外能量转变为可见热图像的测温工具，它可以安全、快速、扫描被测目标，准确的发现潜在产品质量问题或设备运行故障。CEM华盛昌推出的智能互联工具型红外热像仪DT-980系 T-980L-DT-98DT-982L-8（温度测量范围-20℃到350℃）和DT-980DT-982H（温度测量范围-20℃到650℃）几个型号，体积小巧、结实耐用，用户可随身携带，随时发现隐藏的发热、冷气泄漏、管道堵塞以及其它问题，向客户或上级领导证实有故障需要维修并分享证据。
相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等，因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*，且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段，使其能够适应高温环境，即能*终满足测试的要求。

高温微压力传感器基于F-P干涉敏感原理，使用耐高温材料外壳和支撑架，部件连接采用固体焊接等耐高温工艺，实现了在无引压管情况下对800℃高温介质微小压力的直接测量，并且通过对性敏感组件等易损件采取专门的限位、加固措施，提高了抗冲击、振动能力。
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如何判别单、双向可控硅？先任测两个极，若正、反测指针均不动（万用表选电阻R*1Ω挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
为了在地面实验室模拟传感器的实际测量环境，我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统，通过高低温真空试验装置和人机软件的结合，为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。

1、传感器测量原理

(1) 微压力测量原理

高温微压力传感器采用的是F-P干涉敏感原理，根据Fabry-Perot共振效应，F-P共振腔反射光的波长变化与两反射面之间的距离呈函数关系。如图1所示，为传感器原理示意图，感压反射面及其支撑膜片和静止反射面就构成了一个完整的F-P共振式压力敏感结构。根据薄膜性形变原理，压力敏感膜片在外界压力的作用下发生形变，从而改变F-P腔腔长，引起干涉谱变化，通过测量干涉光谱，即可得到作用在压力敏感膜上的压力变化，从而达到测量压力的目的。该结构的特点是灵敏度极高，可感受两个镜面之间纳米级的位移变化，可满足500 Pa微小压力的测量需要。

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方法要领：使用万用表的“Ω×1”挡检测通路电阻，必要时应将测试点刮，焊干净后再进行检测，以防止接触电阻过大，引起测量误差。对插接件检测时，可通过摆动插接件来测其接触电阻。若阻值大小不定，说明有接触 故障。使用万用表的“Ω×1k”或“Ω×10k”挡检测电容器电容值大小和漏电程度。使用万用表“Ω×1k”挡检测小功率晶体管，使用“Ω×100”挡检测中功率晶体管，使用“Ω×10”挡检测大功率管。

(2) 传感器的仪器校准原理

在传感器探头确定的情况下，参数k1,k的值可以通过公式直接计算求得，而温度敏感系数k2以及补偿修正常数C则需要通过校准实验才能确定。

将被校传感器与压力、温度标准具置于同一载荷环境，通过标准具得到压力、温度的标准量，通过解调模块得到传感器的输出值。将标准输人量与被校传感器的输出值绘制成传感器的校准曲线，再根据校准数据采用*小二乘法确定传感器的工作直线，用工作直线反映传感器的输人和输出之间的关系，从而确定k2及C的取值。通过校准曲线与工作直线的比较，可以计算得到被校传感器的静态基本性能指标。

工程类实验室衢州-CNAS检测机构ChipMcClelland的计数器这些计数器由电子设备构建并利用其蜂窝连接来远程发送数据。这使他们能够通过蜂窝网络将数据发送到他们的仪表板，这意味着他们不必再离公室。经过大约三年的访客统计，公园管理人员看到了Chip的工作取得的成功。Umstead州立公园已经将芯片的设备部署了两年多，每个入口都有一个设备。附近的Crabtree公园正在测试Chip的设备来统计他们的访问者。现在他正在大规模生产这些设备，以部署与美国各地的公园。