◆ 规格说明:
产品规格 |
齐全 |
产品数量 |
5555 |
包装说明 |
电议 |
价格说明 |
电议 |
◆ 产品说明:
长度实验室张家界-第三方公司长度实验室张家界-第三方公司
世通仪器关于高温微
压力传感器校准实的研究
在航天领域,常常需要在恶劣环境下实时测量环境的各种相关参量,其中就包括微小压力测量。由于测试工作处于高温、高热流、强电磁干扰、剧烈振动等恶劣的条件下,并且待测压力微小,此外还要求小型化、低功耗,故而传统的硅微压力传感器已难以满足测试需求。
上表所示为使用LabSat输出上的多种外部衰减器,以UBLOXGPS引擎测得的C/No值。对于每项外部衰减器值,LabSatRF水平均按5dB的步阶变化。根据表中所示,信噪比控制的线性度随着外部衰减的增加而改善。但如果外部衰减远高于40dB,内部可用的滑块范围就会减少。左侧屏幕截图所示为UBLOXU-Center软件的输出示例。GPGSVNMEA信息会打,以显示每颗 的C/NO水平。UBLOXTIM-LA装置采用以下设置进行测试:?LabSat?使用SatGen生成的静态场景?2个20dBm衰减器(MinicircuitsVAT-20W2)针对TIM-LA,UBLOX数据表采用-138dBm用于捕获灵敏度,-146dBm用于跟踪灵敏度。
相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等,因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*,且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段,使其能够适应高温环境,即能*终满足测试的要求。
高温微压力传感器基于F-P干涉敏感原理,使用耐高温材料外壳和支撑架,部件连接采用固体焊接等耐高温工艺,实现了在无引压管情况下对800℃高温介质微小压力的直接测量,并且通过对性敏感组件等易损件采取专门的限位、加固措施,提高了抗冲击、振动能力。
长度实验室张家界-第三方公司
按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制,即可改变逆变电路输出电压的大小,也可改变输出频率,如所示为脉宽调制原理图。脉宽调制原理图,把正弦半波波形分成N等份,就可把正弦半波看成由N个彼此相连的脉冲所组成的波形。如果把上述脉冲序列用同样数量的等幅而不等宽的矩形脉冲序列代替,使矩形脉冲的中点和相应正弦等分的中点重合,且使矩形脉冲和相应正弦部分面积(即冲量)相等,就得到一组脉冲序列,这就是PWM波形。根据冲量相等效果相同的原理,PWM波形和正弦半波是等效的,如所示为正弦波PWM调制波形。
为了在地面实验室模拟
传感器的实际测量环境,我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统,通过高低温真空试验装置和人机软件的结合,为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。
1、传感器测量原理
(1) 微压力测量原理
高温微压力传感器采用的是F-P干涉敏感原理,根据Fabry-Perot共振效应,F-P共振腔反射光的波长变化与两反射面之间的距离呈函数关系。如图1所示,为传感器原理示意图,感压反射面及其支撑膜片和静止反射面就构成了一个完整的F-P共振式压力敏感结构。根据薄膜性形变原理,压力敏感膜片在外界压力的作用下发生形变,从而改变F-P腔腔长,引起干涉谱变化,通过测量干涉光谱,即可得到作用在压力敏感膜上的压力变化,从而达到测量压力的目的。该结构的特点是灵敏度极高,可感受两个镜面之间纳米级的位移变化,可满足500 Pa微小压力的测量需要。
长度实验室张家界-第三方公司
用编程器不仅不能编程效率,反而出现了极高的 率品,更要命的是很多 率芯片已损坏,这不是赔了夫人又折吗(花钱编程器编坏芯片)?其实客户的咨询及反馈,也印证着我们编程器技术一路以来的发展及变革史,细节决定成败。通常,使用编程器编写芯片出现 品率,是有众多因数造成的,比如芯片批次质量波动、编程烧录房环境及人员习惯素质、夹具使用寿命、编程器老化、编程器时序的兼容性等原因。解决这些基本问题,一般可以通过加强人员培训,设备维护升级或者及时更新芯片时序算法就可解决,并且也达到了一定的效果。
(2) 传感器的仪器校准原理
在传感器探头确定的情况下,参数k1,k的值可以通过公式直接计算求得,而温度敏感系数k2以及补偿修正常数C则需要通过校准实验才能确定。
将被校传感器与压力、温度标准具置于同一载荷环境,通过标准具得到压力、温度的标准量,通过解调模块得到传感器的输出值。将标准输人量与被校传感器的输出值绘制成传感器的校准曲线,再根据校准数据采用*小二乘法确定传感器的工作直线,用工作直线反映传感器的输人和输出之间的关系,从而确定k2及C的取值。通过校准曲线与工作直线的比较,可以计算得到被校传感器的静态基本性能指标。
长度实验室张家界-第三方公司MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易。所以关
电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。