AlphalasUPD超快光电探测器

AlphalasUPD超快光电探测器
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详细资料

◆  规格说明:

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◆  产品说明:

德国 AlphalasUPD超快光电探测器

ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测 为15ps上升时 范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池 扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型特殊的紫外线敏感的I 米范围内的激光脉冲,因此具有很宽的光谱范围和比较高的响应速度。 比较好的阻抗匹配和微波技术,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行响应速度的检测或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供相匹配的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个比较好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的重要的工具。

特点:

超高速运行                                            上升时间:15 ps - 500ps
带宽:高达25 GHz                                  光谱范围:170 - 2600纳米
紧凑封装                                                电池或外部电源
自由空间光入射或FC/PC型                       窗口或光纤尾纤


应用:
脉冲形式测量                                            脉冲宽度测量
脉冲同步                                                   跳模监控

外差测量                                                   频率测量



超快光电探测器

UPD Series·Available Models  

型号   上升时间(ps)   带宽(GHz)   光谱范围(nm)   峰值量子效率   响应区域(Dia.μm/mm2)   相对噪声功率(W/)   暗电流(nA)   探测面材料   光学输入/窗口类型   射频输出连接器模型  

UPD-15-IR2-FC   <15     75%   n/a   1.0Х10-15   0.1   InGaAs   Fiber w.FC/APC   SMA  

UFD-30-VSG-P   <30   nbsp; 0.1   GaAs   Polished,glass   SMA  

UPD-35-IR2-P   <35   >10   800·1700   bsp; 1.0Х10-15   0.3   InGaAs   Polished,glass   SMA  

UPD-35-IR2-D   <35     80%   55/0.0024   1.0Х10-15   0.3   InGaAs   Diffuse,quartz   SMA  

UPD-35-IR2-FR   <35   >10   800·1700   nbsp; 1.0Х10-15   0.3   InGaAs   FC/PC receptacle   SMA  

UPD-35-IR2-FC   <35   >10   800·1700   80%   55   0.3   InGaAs   Fiber w.FC/APC   SMA  

UPD-35-UVIR-P   <35   nbsp; 80%   55/0.0024   1.0Х10-15   0.3   InGaAs4   Polished,MgF2   SMA  

UPD-35-UVIR-D   <35   >10   350·1700   bsp; 1.0Х10-15   0.3   InGaAs4   Diffuse,quartz   SMA  

UPD-40-VSI-P   <40   0   40% sp; 3.0Х10-10   5000   InGaAs   Polished,glass   SMA  

型号   上升时间(ps)   带宽(GHz)   光谱范围(nm)   峰值量子效率   响应区域(Dia.μm/mm2)   相对噪声功率(W/)   暗电流(nA)   探测面材料   光学输入/窗口类型   射频输出连接器模型  

UPD-40-IR2-P   <40   >8.5   800·1700   80%   60/   0.5   InGaAs   Polished,glass   SMA  

UPD-40-IR2-D   <40   &g 8   1.1Х10-15   0.5   InGaAs   D

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